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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
FQS4903TF
FQS4903TF
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 500V 漏源电流 (Id) @ 温度: 370毫安 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.44378

2763

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.44378

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EFC6617R-TF
EFC6617R-TF
MOSFET 2N-CH EFCP

¥12.70405

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.70405

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ECH8675-TL-H
ECH8675-TL-H
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.02801

5970

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.94483

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EFC6618R-A-TF
EFC6618R-A-TF
MOSFET 2N-CH EFCP

¥15.44186

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.44186

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EMH2314-TL-H
EMH2314-TL-H
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-EMH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.59344

670700

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.38381

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FW217A-TL-2WX
FW217A-TL-2WX
MOSFET N-CH 35V 8SOIC

¥2.17287

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,901.26125

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EMH2411R-TL-H
EMH2411R-TL-H
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-EMH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.66587

32550

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,185.61750

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MCH6660-TL-H
MCH6660-TL-H
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A,1.5A 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.15886

2291361

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,229.65434

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ECH8601M-TL-H-P
ECH8601M-TL-H-P
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥4.02705

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.02705

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MCH6662-TL-H
MCH6662-TL-H
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.15886

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,229.65434

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EFC8822R-TF
EFC8822R-TF
MOSFET N-CH DUAL 6CSP

¥1.44858

395000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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NVMFD5489NLT1G
NVMFD5489NLT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.58864

1364

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.58864

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MCH6663-TL-H
MCH6663-TL-H
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A、1.5A 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.15886

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,229.65434

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VEC2315-TL-H
VEC2315-TL-H
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: SOT-28FL/vc8 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥7.69196

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.69196

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FDPC3D5N025X9D
FDPC3D5N025X9D
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A 供应商设备包装: 12-PQFN(3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.63258

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.63258

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FDWS9420-F085
FDWS9420-F085
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.52926

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.52926

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FDMC8298
FDMC8298
MOSFET 2N-CH 8MLP

¥6.59104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.59104

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FDS6982AS_G
FDS6982AS_G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A, 8.6A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.66395

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.66395

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FDS6986AS_SN00192
FDS6986AS_SN00192
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A, 7.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.54614

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.54614

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FDS8958B_G
FDS8958B_G
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A, 4.5A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.94689

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.94689

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