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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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EFC4K110NUZTDG
EFC4K110NUZTDG
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 24伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A 供应商设备包装: 10-WLCSP(3.2x2.1)

¥15.06523

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.06523

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FDS4953
FDS4953
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.37135

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.37135

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VEC2315-TL-W
VEC2315-TL-W
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: SOT-28FL/vc8 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥15.07972

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.07972

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NTTFD9D0N06HLTWG
NTTFD9D0N06HLTWG
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta)、38A(Tc) 供应商设备包装: 12-WQFN(3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.13766

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.13766

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FDS6892A
FDS6892A
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.86771

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.86771

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VEC2616-TL-W
VEC2616-TL-W
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门,4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A,2.5A 供应商设备包装: SOT-28FL/vc8 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥10.06763

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.06763

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FDS6961A
FDS6961A
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.88315

52367

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,193.87441

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FDQ7236AS
FDQ7236AS
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A、11A 供应商设备包装: 14-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.62778

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.62778

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FDS6984S
FDS6984S
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A, 8.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥679.18122

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥679.18122

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FW4604-TL-2W
FW4604-TL-2W
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门,4.5V驱动 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 4.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥6.15647

2145

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.15647

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NTGD3133PT1G
NTGD3133PT1G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.02801

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.94483

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NTJD4001NT2G
NTJD4001NT2G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.69196

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.69196

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FD6M033N06
FD6M033N06
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 73A 供应商设备包装: EPM15 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.56255

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.56255

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FD6M043N08
FD6M043N08
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 75V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A 供应商设备包装: EPM15 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥909.69375

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥909.69375

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FD6M045N06
FD6M045N06
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A 供应商设备包装: EPM15 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.66011

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.66011

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FDS9933BZ
FDS9933BZ
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.38872

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.38872

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EFC4C002NLTDG
EFC4C002NLTDG
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 逻辑电平门 供应商设备包装: 8-WLCSP (6x2.5) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥19.84555

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.84555

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FDMD86100
FDMD86100
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A 供应商设备包装: 8-Power 5x6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.10245

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.10245

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ECH8601M-P-TL-H
ECH8601M-P-TL-H
MOSFET 2N-CH ECH8

¥4.99760

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.99760

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ECH8662-TL-HX
ECH8662-TL-HX
MOSFET N-CH ECH8

¥7.35879

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.35879

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