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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NTMFD5C462NLT1G
NTMFD5C462NLT1G
T6 40V LL S08FL DS

¥12.67508

0

5-7 工作日

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合计: ¥19,012.61250

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FDS4897C
FDS4897C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A, 4.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.30132

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MVDF1N05ER2G
MVDF1N05ER2G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.54518

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.54518

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FDMD8430
FDMD8430
场效应管类型: 2个N通道(双)公共源 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、95A(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.63018

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.63018

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FDMA1023PZ
FDMA1023PZ
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.44618

96

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.44618

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FDMS7700S
FDMS7700S
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A、22A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.30883

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥39,926.48700

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NSTJD1155LT1G
NSTJD1155LT1G
MOSFET 2P-CH 8V 1.3A SC88

¥106.04330

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥106.04330

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EFC6605R-V-TR
EFC6605R-V-TR
MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA

¥1.01401

1059000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,160.84679

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FDMD8260L
FDMD8260L
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 12-Power3.3x5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.11010

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,810.94663

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NVMD6N03R2G
NVMD6N03R2G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.02801

4915

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,167.94483

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FDS8958B
FDS8958B
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A, 4.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.52995

1000

2-3 工作日

- +

合计: ¥2.52995

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FDS4559
FDS4559
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A, 3.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.66347

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.66347

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FDMS3620S
FDMS3620S
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A,38A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.60601

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.60601

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FDMS3604AS
FDMS3604AS
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、23A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.28732

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.28732

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FDS8949
FDS8949
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.31533

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.31533

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FDMD8580
FDMD8580
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、82A(Tc) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.97400

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.97400

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NTMFD5C446NLT1G
NTMFD5C446NLT1G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta)、145A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.84384

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥23,765.76600

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FDMD8260LET60
FDMD8260LET60
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: 12-Power3.3x5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.86799

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥50,603.97000

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FDMD8440L
FDMD8440L
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、87A(Tc) 供应商设备包装: Power 3.3x5 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.02273

0

5-7 工作日

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合计: ¥54,068.17500

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FDMD8560L
FDMD8560L
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A、93A 供应商设备包装: 8-Power 5x6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.00586

30

2-3 工作日

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合计: ¥21.00586

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