特色
- Q1：N信道最大值。RDS（开启）=7.5 mΩ，VGS=10 V，ID=12 A最大值。RDS（开启）=12 mΩ，VGS=4.5 V，ID=10 A
- Q2:N信道最大值。RDS（开启）=2.4 mΩ，VGS=10 V，ID=20 A最大值。RDS（开启）=2.9 mΩ，VGS=4.5 V，ID=18 A
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMS7700S
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A、22A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 17.20138 | 51604.14000 |
- 库存: 0
- 单价: ¥13.30883
-
数量:
- +
- 总计: ¥51,604.14
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 最大功率 1W
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
- 供应商设备包装 Power56
- 导通电阻 Rds(ON) 7.5毫欧姆 @ 12A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1750皮法@15V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12A、22A
FDMS7700S 产品详情
该器件包括双MLP封装中的两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接，以实现同步降压转换器的轻松放置和布线。控制MOSFET（Q1）和同步SyncFET™ （Q2）被设计为提供最佳的功率效率。
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
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 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMS7700S所属分类：场效应晶体管阵列，FDMS7700S 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMS7700S价格参考￥13.308829，你可以下载 FDMS7700S中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMS7700S规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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