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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
FDC6301N_G
FDC6301N_G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.45971

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.45971

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NTTFD4D0N04HLTWG
NTTFD4D0N04HLTWG
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、60A(Tc) 供应商设备包装: 12-WQFN(3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.62826

2111

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.62826

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FDPC8012S
FDPC8012S
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A、26A 供应商设备包装: Powerclip-33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.16327

9220

5-7 工作日

- +

合计: ¥22.16327

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FDG6303N-F169
FDG6303N-F169
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 供应商设备包装: SC-88(SC-70-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.44426

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.44426

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FDMA1028NZ-F021
FDMA1028NZ-F021
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.26884

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,806.51400

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FDG6332C-F085P
FDG6332C-F085P
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 700毫安 (Ta), 600毫安 (Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥910.63533

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥910.63533

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NTLUD4C26NTAG
NTLUD4C26NTAG
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.1A (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.31954

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,958.61700

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FDS4897AC
FDS4897AC
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A, 5.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.01161

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.01161

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FDMC7200
FDMC7200
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 8A 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥2.33852

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,015.54500

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EFC2J022NUZTCG
EFC2J022NUZTCG
MOSFET N-CH 12V 2.2MOHM WLCSP10

¥2.50083

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,504.14500

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EFC2K102ANUZTDG
EFC2K102ANUZTDG
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta) 供应商设备包装: 10-WLCSP(2.98x1.49) 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.57427

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥12,871.36000

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FDMS001N025DSD
FDMS001N025DSD
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、69A(Tc)、38A(Ta 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.11205

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.02886

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FDS6982AS
FDS6982AS
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A, 8.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.30132

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NSTJD4001NT1G
NSTJD4001NT1G
MOSFET P-CH SC88

¥8.18448

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.18448

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EFC6601R-TR
EFC6601R-TR
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门,2.5V驱动 供应商设备包装: EFCP2718-6CE-020 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥2.17287

684263

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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FDMS3600S
FDMS3600S
MOSFET 2N-CH 25V 15A/30A 8PQFN

¥16.65867

13303

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.65867

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EMH2407-TL-H
EMH2407-TL-H
MOSFET 2N-CH 20V 6A EMH8

¥1.15886

43326

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,229.65434

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FDMS3624S
FDMS3624S
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/30A 8PQFN

¥11.95079

1444

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.95079

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NVMD3P03R2G
NVMD3P03R2G
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC

¥14.97832

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.97832

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FDPC8011S
FDPC8011S
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN

¥13.03722

173445

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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