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FDMC7200

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 8A 供应商设备包装: 8-Power33 (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3000

数量 单价 合计
3000+ 2.33851 7015.54500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥2.33852
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7,015.55
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 660皮法 @ 15V
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10nC @ 10V
  • 供应商设备包装 8-Power33 (3x3)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6A, 8A
  • 导通电阻 Rds(ON) 23.5毫欧姆@6A,10V
  • 最大功率 700mW, 900mW

FDMC7200 产品详情

该器件包括双Power33(3mm x 3mm MLP)封装中的两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接,以实现同步降压转换器的轻松放置和布线。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(Q2)被设计为提供最佳功率效率。

特色

  • Q1:VGS=10 V时,N信道最大rDS(开启)=23.5 mΩ,VGS=4.5 V时,ID=6 AMax rDS(打开)=38 mΩ,ID=5 A
  • Q2:VGS=10 V时,N信道最大rDS(开启)=12 mΩ,VGS=4.5 V时,ID=8 AMax rDS(打开)=18 mΩ,ID=7 A
  • 符合RoHS

应用

  • 笔记本电脑
FDMC7200所属分类:场效应晶体管阵列,FDMC7200 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMC7200价格参考¥2.338515,你可以下载 FDMC7200中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMC7200规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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