品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.73590 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.73590 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 350毫安 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥468.57217 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥468.57217 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET 2P-CH ECH8 | ¥3.03065 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,091.94100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（双）公共漏极 场效应管特性: 标准 供应商设备包装: 4-WLCSP (1.6x1.4) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.77637 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | AFSM T6 40V LL U8FL | ¥3.16877 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4,753.15350 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.1A，12.4A 供应商设备包装: Power56 | ¥3.34369 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10,031.05500 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.93918 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.92A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.15647 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.15647 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.30132 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.30132 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.30132 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.30132 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A, 2.6A 供应商设备包装: 6-MicroFET (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.37375 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.37375 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门，4V驱动 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A, 3.5A 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥6.51861 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.51861 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.59104 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.59104 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A, 5A 供应商设备包装: 8-SOIC | ¥6.66347 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.66347 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: 7-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.66347 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.66347 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、2.2A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.56737 | 23 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.56737 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.83584 | 23 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.83584 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A 供应商设备包装: 6-MicroFET (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.31533 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.31533 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、3.2A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.38776 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.38776 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.73590 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.73590 | 添加到BOM 立即询价 |