特色
- Q1：N通道最大rDS（开启）=20.0 mΩ VGS=10 V时，ID=10.1 AMax rDS（开启）=30.0 mΩ VGS=4.5 V，ID=7.5 A时
- Q2:N通道最大rDS（开启）=11.2 mΩ VGS=10 V时，ID=12.4 AMax rDS（开启）=14.2 mΩ VGS=4.5 V，ID=10.9 A时
- 为简单PCB设计而优化的引脚
- 热效率双电源56封装
- 符合RoHS
应用
- 笔记本电脑
FDMS7620S-F106
- 描述:场效应管类型: 2 N通道（半桥） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.1A，12.4A 供应商设备包装: Power56
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 3000
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 3000+ | 3.34368 | 10031.05500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.34369
-
数量:
- +
- 总计: ¥10,031.06
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 高度（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 工作温度 -
- 场效应管类型 2 N通道（半桥）
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 场效应管特性 标准
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
- 最大功率 1W
- 包装/外壳 8-PowerWDFN
- 供应商设备包装 Power56
- 漏源电流 (Id) @ 温度 10.1A，12.4A
- 导通电阻 Rds(ON) 20毫欧姆@10.1A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 608皮法 @ 15V
FDMS7620S-F106 产品详情
该器件在独特的双电源56封装中包括两个专用MOSFET。它被设计为在效率和PCB利用率方面提供最佳同步降压功率级。低开关损耗“高端”MOSFET由低导通损耗“低端”SyncFET补充。
FDMS7620S-F106 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMS7620S-F106所属分类：场效应晶体管阵列，FDMS7620S-F106 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMS7620S-F106价格参考￥3.343685，你可以下载 FDMS7620S-F106中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMS7620S-F106规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
