特色
- -3.1安培，-20伏
- RDS（ON）=95 mΩ@VGS=-4.5V
- RDS（ON）=141 mΩ@VGS=-2.5V
- 新型封装中的薄型最大0.8 mm MicroFET 2x2 mm
- HBM ESD保护等级>2.5kV（见数据表注释3）
- 符合RoHS
- 不含卤化化合物和氧化锑
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
FDMA1029PZ
- 描述:场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: 7-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.66346 | 6.66346 |
| 10+ | 5.85950 | 58.59506 |
| 100+ | 4.49132 | 449.13220 |
| 500+ | 3.55018 | 1775.09000 |
| 1000+ | 2.84015 | 2840.15800 |
| 3000+ | 2.82400 | 8472.02100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.66347
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.66
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 2个P通道（双通道）
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
- 最大功率 700mW
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10nC @ 4.5V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.1A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 540皮法 @ 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 95毫欧姆@3.1A，4.5V
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width), 7 Leads
- 供应商设备包装 7-SOIC
- 材质 -
FDMA1029PZ 产品详情
该设备专门设计为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单包解决方案。它具有两个独立的P沟道MOSFET，具有低导通电阻，以实现最小的传导损耗。当以典型的公共电源配置连接时，双向电流是可能的。MicroFET™ 2x2封装的物理尺寸提供了卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
FDMA1029PZ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FDMS8350L | FDMS8350L - N-CHANNEL POWERTRENC | ¥18.45513 | |
| FDMS86252L | FDMS86252 - N-CHANNEL SHIELDED G | ¥5.49287 | |
| FDMS8350LET40 | FDMS8350LET40 - N-CHANNEL POWERT | ¥14.31219 | |
| FDMS86104 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE | ¥7.81299 | |
| FDMS3672 | FDMS3672 - N-CHANNEL ULTRAFET TR | ¥8.85082 | |
 | FDMA6676PZ | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.78041 |
 | FDMS86568-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W（Tj） 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥23.80017 |
 | FDMS8558S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Ta), 90A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta）、78W（Tc） 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥34.59209 |
 | FDMS9410L-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 75W (Tj) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥166.47081 |
| FDMS2D4N03S | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 163A（Tc） 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6), Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.60601 |
FDMA1029PZ所属分类：场效应晶体管阵列，FDMA1029PZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDMA1029PZ价格参考￥6.663468，你可以下载 FDMA1029PZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDMA1029PZ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
