PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于上一代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- Q1：N信道最大值。当VGS=4.5 V时，RDS（开启）=66 mΩ，ID=3.4A最大值。当VGS=2.5 V时，RDS=86 mΩ，ID=2.9A最大值
- Q2:P信道最大值。在VGS=-4.5 V时，RDS（开启）=142 mΩ，ID=-2.3A最大值。在VGS=-2.5 V时RDS（开启的）=213 mΩ，ID=-1.8最大值。当VGS=-1.8 V时，RD（开启）=331 mΩ，ID=-1.5最大值
- 薄型：新封装中最大0.55mm MicroFET 1.6x1.6薄型
- 不含卤化化合物和氧化锑
- HBM ESD保护等级>1600V（见数据表注释3）
- 符合RoHS
应用
- 本产品通用，适用于许多不同的应用。
