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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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NTHD5904T1
NTHD5904T1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.44858

81000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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NTHD4401PT1
NTHD4401PT1
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.86915

3000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,607.44400

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NTHD2102PT1
NTHD2102PT1
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.01401

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.01401

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NTJD4401NT1
NTJD4401NT1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 630毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.50700

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,551.42918

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NTJD4001NT1
NTJD4001NT1
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 250毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥162.64656

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥162.64656

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NTJD2152PT1
NTJD2152PT1
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.50700

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.35936

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NTHC5513T1
NTHC5513T1
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、2.2A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,794.05184

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,794.05184

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NTJD2152PT1G
NTJD2152PT1G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 漏源电流 (Id) @ 温度: 775毫安 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.65186

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.86637

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NTHD4401PT3G
NTHD4401PT3G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A 供应商设备包装: ChipFET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.59344

95300

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.38381

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NTQD4154ZR2
NTQD4154ZR2
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.00777

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.00777

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NTQD6968NR2
NTQD6968NR2
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A 供应商设备包装: 8-TSSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.37615

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,205.97005

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FDC6000NZ
FDC6000NZ
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A 供应商设备包装: SuperSOT-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.89476

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FDC6020C
FDC6020C
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.9A, 4.2A 供应商设备包装: SuperSOT-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.64994

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.64994

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FDC6036P
FDC6036P
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.25355

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.25355

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MMDF2P02HDR2G
MMDF2P02HDR2G
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.27331

1245

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,166.56868

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MMDF2N02ER2G
MMDF2N02ER2G
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥924.70104

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥924.70104

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FDPC8011S
FDPC8011S
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN

¥13.03722

171945

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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FDPC3D5N025X9D
FDPC3D5N025X9D
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A 供应商设备包装: 12-PQFN(3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,377.19398

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,377.19398

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FDS9958-F085
FDS9958-F085
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.50460

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,179.82318

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FDSS2407
FDSS2407
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 62V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,225.78840

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,225.78840

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