9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTJD2152PT1，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NTJD2152PT1参考价格$0.07000。onsemi NTJD2152PT1封装/规格：MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363。您可以下载NTJD2152PT1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NTJD1155LT1G是MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363，包括NTJD1155L系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-TSSOP、SC-88、SOT-363，技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为N和P信道，最大功率为400mW，晶体管类型为2 P信道，漏极至源极电压Vdss为8V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1.3A，Rds On Max Id Vgs为175 mOhm@1.2A，4.5V，Vgs th Max Id为1V@250μA，Pd功耗为400 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为1 V，Id连续漏极电流为1.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-8 V，漏极-源极电阻Rds为260毫欧姆，晶体管极性为P沟道，沟道模式为增强。
NTJD1155LT1是MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363，包括1V@250μA Vgs和最大Id，它们设计用于SC-88/SC70-6/SOT-363供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于175 mOhm@1.2A，4.5V，提供功率最大特性，如400mW，包装设计用于磁带和卷轴（TR），以及6-TSSOP，SC-88，SOT-363包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供N和P沟道FET类型，该器件具有FET特性标准，漏极到源极电压Vdss为8V，25°C的电流连续漏极Id为1.3A。
NTJD1155NT1G，带有ON制造的电路图。NTJD1155 NT1G采用SC70-6封装，是IC芯片的一部分。
