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NTLTD7900ZR2G是MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO，包括切割带（CT）封装，它们设计用于与8-VDFN暴露焊盘封装外壳一起工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于Micro8？，除了2 N沟道（双）FET类型外，该器件还可以用作1.5W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为20V，该器件提供15pF@16V输入电容Cis-Vds，该器件具有FET特性的逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为6A，最大Id Vgs上的Rds为26mOhm@6.5A、4.5V，Vgs最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg-Vgs为18nC@4.5V。
NTLTF4156NT带有ON制造的用户指南。NTLTF4156 NT采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
NTLTS3107PR2G，带有ON制造的电路图。NTLTS307PR2G采用DFN-8封装，是IC芯片的一部分。
