9icnet为您提供由onsemi设计和生产的HUFA76413DK8T-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HUFA76413DK8T-F085参考价格为0.65美元。onsemi HUFA76413DK8T-F085封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO。您可以下载HUFA76413DK8T-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如HUFA76413DK8T-F085价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
HUFA76409D3ST是MOSFET N-CH 60V 18A DPAK，包括UltraFET系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有49 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为34 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为17 a，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为52mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为41ns，典型接通延迟时间为5.3ns，沟道模式为增强型。
HUFA76413DK8T是MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SO，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于UltraFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如49 mOhm@5.1A，10V，Power Max设计为2.5W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有620pF@25V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为23nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），且FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为5.1A。
HUFA76413DK8，带有FAIRHILD制造的电路图。HUFA76413DK8在SOP8包中提供，是FET阵列的一部分。
