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FDMS3600AS

  • 描述:场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A、30A 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥18.41145
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.41
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规格参数

  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 安装类别 表面安装
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电压标 (Vdss) 25伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 场效应管类型 2 N通道(双通道)不对称
  • 供应商设备包装 Power56
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@250A.
  • 导通电阻 Rds(ON) 5.6毫欧姆 @ 15A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1770皮法@13V
  • 最大功率 2.2瓦、2.5瓦
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A、30A

FDMS3600AS 产品详情

该器件包括双PQFN封装中的两个专用N沟道MOSFET。开关节点已内部连接,以实现同步降压转换器的轻松放置和布线。控制MOSFET(Q1)和同步SyncFET(Q2)被设计为提供最佳功率效率。

特色

  • Q1:VGS=10 V时,N信道最大rDS(开启)=5.6 mΩ,VGS=4.5 V时,ID=15 AMax rDS(打开)=8.5 mΩ,ID=14 A
  • Q2:VGS=10 V时,N信道最大rDS(开启)=1.6 mΩ,VGS=4.5 V时,ID=30 AMax rDS(打开)=2.4 mΩ,ID=25 A
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间,从而降低了开关损耗
  • MOSFET集成可实现优化布局,降低电路电感并减少开关节点振铃
  • 符合RoHS

应用

  • 服务器
FDMS3600AS所属分类:场效应晶体管阵列,FDMS3600AS 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDMS3600AS价格参考¥18.411452,你可以下载 FDMS3600AS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDMS3600AS规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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