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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FCP099N60E
FCP099N60E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.26851

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,183.08249

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FQI50N06TU
FQI50N06TU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 120W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.10939

26000

5-7 工作日

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合计: ¥6,109.38600

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NTMJS1D7N04CTWG
NTMJS1D7N04CTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Ta), 185A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 106W (Tc) 供应商设备包装: 8-LFPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.48726

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合计: ¥28,461.77100

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FDB8443
FDB8443
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta)、120A(Tc) 最大功耗: 188W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.56862

4800

5-7 工作日

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合计: ¥14,854.89840

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FCPF260N65FL1-F154
FCPF260N65FL1-F154
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.55593

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5-7 工作日

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合计: ¥12,555.92900

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SVD5806NT4G
SVD5806NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.76327

0

5-7 工作日

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合计: ¥9,408.16500

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FDPF6N60ZUT
FDPF6N60ZUT
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 33.8W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.12590

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5-7 工作日

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合计: ¥6,125.90000

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NTPF190N65S3HF
NTPF190N65S3HF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.57498

0

5-7 工作日

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合计: ¥12,574.97800

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NVD5C632NLT4G
NVD5C632NLT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Ta)、155A(Tc) 最大功耗: 4W (Ta), 115W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.27299

0

5-7 工作日

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合计: ¥20,682.46250

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NVMFS6H848NWFT1G
NVMFS6H848NWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、57A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 73W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.09792

0

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合计: ¥7,646.87250

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FDMS6681Z
FDMS6681Z
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21.1A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、73W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.61328

10

2-3 工作日

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合计: ¥14.61328

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NVTFS5826NLWFTAG
NVTFS5826NLWFTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta) 最大功耗: 3.2W(Ta)、22W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.76957

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合计: ¥5,654.35050

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NVTFS5826NLTAG
NVTFS5826NLTAG
MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN

¥2.67987

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合计: ¥466.29790

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FQPF9N25CYDTU
FQPF9N25CYDTU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.13372

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合计: ¥4,906.97760

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FCU3400N80Z
FCU3400N80Z
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 32W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.10045

1800

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合计: ¥9,180.81000

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NVMFS6H858NWFT1G
NVMFS6H858NWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Ta), 29A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 42W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.50884

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合计: ¥14,263.26150

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NVMFS5C677NLWFT1G
NVMFS5C677NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、36A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 37W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.88315

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合计: ¥2,205.17333

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FDMS86150A
FDMS86150A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta)、113W(Tc) 供应商设备包装: Power56 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.61085

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合计: ¥55,832.54700

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NTMFS4834NT1G
NTMFS4834NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、130A(Tc) 最大功耗: 900mW (Ta), 86.2W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.13858

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合计: ¥9,207.86250

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NTMJS0D8N04CLTWG
NTMJS0D8N04CLTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Ta), 368A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 180W (Tc) 供应商设备包装: 8-LFPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.59398

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合计: ¥40,781.94600

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