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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDPF8D5N10C
FDPF8D5N10C
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、35W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.61715

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5-7 工作日

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合计: ¥18,617.15000

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NVMFS5C604NLAFT3G
NVMFS5C604NLAFT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 287A(Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.59772

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5-7 工作日

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合计: ¥62,988.60500

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NVTFS4C08NWFTWG
NVTFS4C08NWFTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥1.95558

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合计: ¥2,205.89762

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NVMFS5H663NLWFT1G
NVMFS5H663NLWFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.2A(Ta)、67A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 63W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.11059

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5-7 工作日

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合计: ¥7,665.88500

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NVMFS3D0P04M8LT1G
NVMFS3D0P04M8LT1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、183A(Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 171W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.52536

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5-7 工作日

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合计: ¥14,288.03250

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FDD5N50UTM-WS
FDD5N50UTM-WS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.95318

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.95318

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FQP15P12
FQP15P12
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 120伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.32489

0

5-7 工作日

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合计: ¥7,324.89000

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NTMFS4937NT1G
NTMFS4937NT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.2A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 920mW(Ta),43W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.44618

98488

5-7 工作日

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合计: ¥2,172.36300

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NVD6495NLT4G-VF01
NVD6495NLT4G-VF01
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.77341

0

5-7 工作日

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合计: ¥9,433.51500

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FQB33N10TM
FQB33N10TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 127W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.33119

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.33119

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6HP04MH-TL-W
6HP04MH-TL-W
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 370毫安 (Ta) 最大功耗: 600mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.60858

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2-3 工作日

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合计: ¥1.60858

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FQU3N50CTU
FQU3N50CTU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.77717

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合计: ¥19,036.94688

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FDP047AN08A0-F102
FDP047AN08A0-F102
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 310W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.70225

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5-7 工作日

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合计: ¥14,961.80320

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NVTFS4C06NTWG
NVTFS4C06NTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta)、37W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥2.17287

0

5-7 工作日

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合计: ¥2,179.38861

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IRF634B-FP001
IRF634B-FP001
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.77971

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,779.70700

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FCPF380N60E
FCPF380N60E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.2A(Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

15300

5-7 工作日

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合计: ¥2,167.43783

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FQA13N50C-F109
FQA13N50C-F109
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Tc) 最大功耗: 218W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.93279

3150

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,169.75415

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FDC013P20L
FDC013P20L
MOSFET P-CH 20V TSOT23-6

¥1.20667

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,620.00100

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FDD10N20LZTM
FDD10N20LZTM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.02561

0

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合计: ¥7.02561

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FDD8882
FDD8882
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.6A(Ta)、55A(Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.15647

28

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合计: ¥6.15647

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