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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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操作
FDS6673AZ
FDS6673AZ
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥31.75287

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.75287

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FDS6679Z
FDS6679Z
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.24434

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.24434

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FDJ127P
FDJ127P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.1A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.09804

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FDR6580
FDR6580
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.2A(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-8. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥43.48637

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.48637

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FDU3706
FDU3706
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.7A(Ta),50A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 44W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥53.13391

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥53.13391

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FDFC3N108
FDFC3N108
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.35879

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.35879

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NTP360N80S3Z
NTP360N80S3Z
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Tc) 最大功耗: 96W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.46940

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.46939

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FDP5690
FDP5690
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 58W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.18064

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.18064

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FDS4770
FDS4770
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.2A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥67.18514

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥67.18514

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FDU6296
FDU6296
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥44.37001

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.37001

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FDS6675A
FDS6675A
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥26.33518

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.33518

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FDS6688S
FDS6688S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.41865

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.41865

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FDU044AN03L
FDU044AN03L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.78079

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.78079

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FDBL9401-F085T6
FDBL9401-F085T6
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 58.4A (Ta), 240A (Tc) 最大功耗: 4.3W (Ta), 180.7W (Tc) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥31.21690

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.21690

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FDU068AN03L
FDU068AN03L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥116.23406

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥116.23406

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MTW7N80E
MTW7N80E
N-CHANNEL POWER MOSFET

¥18.75911

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,688.31999

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FDU8870
FDU8870
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、160A(Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.41145

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.41145

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FDD068AN03L
FDD068AN03L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥49.49798

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.49798

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FDP030N06B-F102
FDP030N06B-F102
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 205W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.90397

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.90397

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FDD2570
FDD2570
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta) 最大功耗: 3.2W(Ta)、70W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥70.38650

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥70.38650

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