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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDB8132_F085
FDB8132_F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 341W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.98312

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.98312

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FDS6673BZ-F085
FDS6673BZ-F085
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.5A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.47659

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,818.25762

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FQP4N60
FQP4N60
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 106W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥107.55707

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥107.55707

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FDMA7628
FDMA7628
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥28.00105

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥28.00105

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FQP33N10L
FQP33N10L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 127W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥27.47956

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.47956

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HUFA75321D3ST
HUFA75321D3ST
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 93W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.58960

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.58960

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FQPF6N50
FQPF6N50
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥31.82530

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.82530

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FDP5N50
FDP5N50
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 85W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.21978

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.21978

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HUFA75639S3ST
HUFA75639S3ST
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 56A (Tc) 最大功耗: 200W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.05885

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.05885

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FQD16N15TF
FQD16N15TF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.8A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),55W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.37279

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.37279

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FDZ197PZ
FDZ197PZ
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: 6-WLCSP (1x1.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.39553

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.39553

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SI3457DV
SI3457DV
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥85.06062

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥85.06062

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FQD16N15TM
FQD16N15TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.8A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),55W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.64946

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.64946

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FDD4141-F085
FDD4141-F085
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.8A(Ta),50A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta)、69W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.09780

2500

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.09780

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FDZ7064AS
FDZ7064AS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta) 最大功耗: 2.2W(Ta) 供应商设备包装: 30-BGA (4x3.5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.96863

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.96863

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FDS4141-F085
FDS4141-F085
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.8A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.30084

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.30084

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FQP3N80
FQP3N80
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.52398

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.52398

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FQB6N50TM
FQB6N50TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、130W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.44186

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.44186

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FDS4435BZ-F085
FDS4435BZ-F085
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.8A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥79.17938

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥79.17938

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FDC636P
FDC636P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.97784

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.97784

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