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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDB039N06
FDB039N06
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 231W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.78952

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.78952

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FCPF380N60-F152
FCPF380N60-F152
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.2A(Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.77744

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.77744

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FQPF5N50
FQPF5N50
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥51.19282

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.19282

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FCP25N60N
FCP25N60N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 216W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥146.74115

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥146.74115

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FDZ371PZ
FDZ371PZ
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: 4-WLCSP (1x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.97880

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.97880

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FCPF190N60-F152
FCPF190N60-F152
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.2A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.43074

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.43074

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HUFA76419P3
HUFA76419P3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.76199

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.76199

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FDI045N10A
FDI045N10A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 263W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥44.28309

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥44.28309

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FDFMA2P859T
FDFMA2P859T
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: MicroFET 2x2 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.64994

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.64994

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FQB2N60TM
FQB2N60TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、64W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥152.10090

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥152.10090

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FDP027N08B
FDP027N08B
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 246W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥26.66836

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.66836

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FQB3N80TM
FQB3N80TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.35975

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.35975

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FDP045N10A
FDP045N10A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 263W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥25.66884

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.66884

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FQI3N80TU
FQI3N80TU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、107W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥17.49885

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.49885

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FDP075N15A
FDP075N15A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A(Tc) 最大功耗: 333W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥3.37519

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.37519

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NDFPD1N150CG
NDFPD1N150CG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 2W(Ta),20W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥5.98242

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.98242

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FQI4P40TU
FQI4P40TU
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、85W(Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥84.20596

9000

5-7 工作日

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合计: ¥84.20596

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FDP083N15A
FDP083N15A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 294W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥28.84123

9000

5-7 工作日

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合计: ¥28.84123

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FQB4P40TM
FQB4P40TM
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 3.13W(Ta)、85W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.27043

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.27043

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FDP085N10A
FDP085N10A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 96A(Tc) 最大功耗: 188W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.85226

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.85226

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