品牌介绍
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MOSFET N-CH 800V 7A TO-3P | ¥21.29413 | 393 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.29413 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta), 287A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥47.99146 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.99146 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.8A（Ta） 最大功耗: 2.3W（Ta）、31W（Tc） 供应商设备包装: 8-MLP (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.10748 | 3000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15,322.42800 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta), 287A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.09372 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.09372 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | ¥43.44291 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.44291 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 235A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 167W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥11.24098 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.24098 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.3A (Ta), 57A (Tc) 最大功耗: 870mW (Ta), 41.7W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.50460 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.50460 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 235A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 167W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥16.19512 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.19512 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC | ¥2.60744 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,158.96363 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、93A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥19.42546 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.42546 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N CH 25V 40A POWER33 | ¥30.55055 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.55055 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Ta）、93A（Tc） 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥2.99856 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.99856 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL | ¥14.77552 | 38 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.77552 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1W (Ta), 26W (Tc) 供应商设备包装: DPAK/TP-FA 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.75086 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.75086 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK | ¥65.01227 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.01227 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 1W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: DPAK/TP-FA 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.60744 | 145995 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,151.14130 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK | ¥12.37725 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,901.79760 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-563/SCH6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.79672 | 797077 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.79394 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL | ¥4.49060 | 261 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.49060 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 | ¥0.65186 | 14868 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 |