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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDC699P_F077
FDC699P_F077
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥40.76304

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.76304

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FDC796N_F077
FDC796N_F077
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.25748

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.25748

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EFC6604R-A-TR
EFC6604R-A-TR
MOSFET N-CH 24V 6A EFCP

¥40.02427

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.02427

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FDD16AN08A0_NF054
FDD16AN08A0_NF054
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 135W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥77.35417

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥77.35417

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EMH1405-P-TL-H
EMH1405-P-TL-H
漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Tj) 供应商设备包装: 8-EMH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.59344

47956

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.38381

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FDD45AN06LA0_F085
FDD45AN06LA0_F085
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta), 25A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.17728

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.17728

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MCH3333A-TL-H
MCH3333A-TL-H
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3

¥71.18322

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥71.18322

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FDD5N50FTF_WS
FDD5N50FTF_WS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥25.13286

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥25.13286

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FDD5N50TF_WS
FDD5N50TF_WS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥55.95865

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.95865

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MCH3377-S-TL-E
MCH3377-S-TL-E
MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3

¥1.30372

321000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,212.41623

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FCPF360N65S3R0L
FCPF360N65S3R0L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 27W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥75.47102

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥75.47102

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MCH3478-S-TL-H
MCH3478-S-TL-H
MOSFET N-CH 2A 30V MCPH3

¥1.01401

228000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,250.07931

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FDD5N50UTF_WS
FDD5N50UTF_WS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥43.35600

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.35600

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FCPF600N65S3R0L
FCPF600N65S3R0L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 24W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.34574

204595

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.21574

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FDD6680
FDD6680
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta),56W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.81753

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥17.81753

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MCH3486-TL-H
MCH3486-TL-H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1.15886

94458

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,229.65434

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NTAT6H406NT4G
NTAT6H406NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 175A (Ta) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK/ATPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.16807

22784

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,178.08489

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FDD6680A
FDD6680A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、56A(Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、60W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥65.85245

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥65.85245

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MCH5839-TL-H
MCH5839-TL-H
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 5-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥89.26150

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥89.26150

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FDD6682
FDD6682
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Ta) 最大功耗: 71W (Ta) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥51.87798

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.87798

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