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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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MCH6321-TL-W
MCH6321-TL-W
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 6-MCPH 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.79672

77990

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.79394

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FDD7030BL
FDD7030BL
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、56A(Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、60W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.03818

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.03818

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MCH6336-P-TL-E
MCH6336-P-TL-E
MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6

¥1.30372

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,844.76663

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FDJ128N_F077
FDJ128N_F077
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥128.86568

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥128.86568

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MCH6336-S-TL-E
MCH6336-S-TL-E
MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6

¥1.30372

225000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,212.41623

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FDJ129P_F077
FDJ129P_F077
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥86.74097

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥86.74097

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BSS138-T
BSS138-T
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: EFCP1313-4CC-037 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.69340

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.69340

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MCH6431-P-TL-H
MCH6431-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6

¥1.59344

270000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,189.38381

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FDMB506P
FDMB506P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥36.46076

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥36.46076

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MCH6437-P-TL-E
MCH6437-P-TL-E
MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6

¥27.00153

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.00153

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FDP15N65
FDP15N65
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.80881

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.80881

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MMBFV170LT3G
MMBFV170LT3G
MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23

¥32.02810

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.02810

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FDP5680
FDP5680
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥30.85475

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.85475

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MVB50P03HDLT4G
MVB50P03HDLT4G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥43.00834

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥43.00834

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NDD01N60-1G
NDD01N60-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Tc) 最大功耗: 46W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.44858

10766

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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NDD01N60T4G
NDD01N60T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.5A(Tc) 最大功耗: 46W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1.44858

3734

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,200.39302

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NDD02N40-1G
NDD02N40-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥63.80995

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥63.80995

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NDD60N360U1-1G
NDD60N360U1-1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.82233

37650

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.60830

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NDD60N360U1-35G
NDD60N360U1-35G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.82233

32775

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.60830

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NDD60N360U1T4G
NDD60N360U1T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.82233

37626

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,174.60830

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