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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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5HN01C-TB-H
5HN01C-TB-H
MOSFET N-CH 50V 100MA SMD

¥31.07204

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.07204

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NTMFS4C55NT1G
NTMFS4C55NT1G
MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL

¥3.83874

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,165.04767

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5HN01M-TL-E
5HN01M-TL-E
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.65186

15000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.86637

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5HN01M-TL-H
5HN01M-TL-H
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.65186

54300

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.86637

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NTBV5605T4G
NTBV5605T4G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Ta) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.08164

123

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.08164

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NVTFS4823NTWG
NVTFS4823NTWG
MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN

¥1.88315

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,143.02925

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5HN01SS-TL-E
5HN01SS-TL-E
MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3

¥54.55352

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥54.55352

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5HN01SS-TL-H
5HN01SS-TL-H
MOSFET N-CH 50V 100MA SMD

¥8.86531

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.86531

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STD5406NT4G
STD5406NT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.2A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.74990

141

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.74990

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FDD8874
FDD8874
MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK

¥101.66134

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥101.66134

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5HN01S-TL-E
5HN01S-TL-E
MOSFET N-CH 50V 100MA SMCP3

¥0.65186

117000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.86637

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NVMFS6B14NT1G
NVMFS6B14NT1G
MOSFET N-CH 100V 15A SO8FL

¥7.74990

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.72274

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FDMC2512SDC
FDMC2512SDC
MOSFET N-CH 25V 32A 8PQFN

¥19.26611

219

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.26611

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5HP01C-TB-E
5HP01C-TB-E
MOSFET P-CH 50V 70MA CP3

¥32.02810

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥32.02810

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5HP01C-TB-H
5HP01C-TB-H
MOSFET P-CH 50V 70MA SMD

¥26.65387

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.65387

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NTMFS4923NET1G
NTMFS4923NET1G
MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL

¥9.27091

2927

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.27091

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NTB35N15T4G
NTB35N15T4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 37A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta)、178W(Tj) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.84315

5

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.84315

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5HP01M-TL-E
5HP01M-TL-E
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70毫安 (Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥0.65186

828000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,089.86637

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NTMFS4934NT3G
NTMFS4934NT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.1A(Ta)、147A(Tc) 最大功耗: 930毫瓦(Ta),69.44毫瓦(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.49981

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.49981

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5HP01SS-TL-E
5HP01SS-TL-E
MOSFET P-CH 50V 70MA SSFP3

¥69.15521

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥69.15521

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