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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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描述
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FDMS86322
FDMS86322
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、104W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.87596

0

5-7 工作日

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合计: ¥16.87596

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FDC604P
FDC604P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.12845

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合计: ¥4.12845

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NTTFS4C10NTWG
NTTFS4C10NTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Ta), 44A (Tc) 最大功耗: 790mW (Ta), 23.6W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

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合计: ¥4.78031

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FQPF19N10
FQPF19N10
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.6A(Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.64706

815

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合计: ¥10.64706

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FDD9507L-F085
FDD9507L-F085
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 227W(Ta) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.87596

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5-7 工作日

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合计: ¥16.87596

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FQB30N06LTM
FQB30N06LTM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.64706

625

5-7 工作日

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合计: ¥10.64706

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NTS4101PT1G
NTS4101PT1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.37A(Ta) 最大功耗: 329mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.33173

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5-7 工作日

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合计: ¥3.33173

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NVTFS015N04CTAG
NVTFS015N04CTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Ta), 27A (Tc) 最大功耗: 2.9W(Ta)、23W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.49060

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.49060

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FDMS8560S
FDMS8560S
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 70A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、65W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

455

5-7 工作日

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合计: ¥10.64706

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NTTFS5C673NLTAG
NTTFS5C673NLTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、46W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.02561

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.02561

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FDBL0630N150
FDBL0630N150
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 169A(Tc) 最大功耗: 500W (Tj) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥43.96440

0

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合计: ¥43.96440

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FQD6N50CTM
FQD6N50CTM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),61W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

178

5-7 工作日

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合计: ¥10.64706

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NVF6P02T3G
NVF6P02T3G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 8.3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.31533

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.31533

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FDB075N15A
FDB075N15A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 130A(Tc) 最大功耗: 333W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.40613

22

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合计: ¥14.40613

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FQPF20N06L
FQPF20N06L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A(Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

0

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合计: ¥9.19848

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FCD600N60Z
FCD600N60Z
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.02321

0

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FDMA8051L
FDMA8051L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 2.4W(Ta) 供应商设备包装: 6-MicroFET (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.31533

0

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FDBL0210N80
FDBL0210N80
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 240A(Tc) 最大功耗: 357W (Tj) 供应商设备包装: 8-HPSOF 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥44.03683

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FDMS86101
FDMS86101
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.4A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、104W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.20620

1

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FDN537N
FDN537N
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta), 6.5A (Tc) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.20088

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