9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVF6P02T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVF6P02T3G参考价格为1.01000美元。onsemi NVF6P02T3G封装/规格：MOSFET P-CH 20V 10A SOT-223。您可以下载NVF6P02T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVF3055L108T1G是MOSFET N-CH 60V 3A SOT223，包括NTF3055L108系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为440pF@25V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为120 mOhm@1.5A，5V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@5V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极上源极电阻为120m欧姆，晶体管极性为N沟道。
NVF5P03T3G是MOSFET AUTOMOTIVE MOSFET，包括-1.75 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.008826 oz，典型开启延迟时间设计为10 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联NTF5P03，上升时间为33ns，Rds漏极-源极电阻为107mOhms，Qg栅极电荷为15nC，封装为卷轴式，封装盒为SOT-223-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-5.2 A，正向跨导最小值为3.9 S，下降时间为10 ns，配置为单双漏极。
NVF3055L108T3G是MOSFET NFET 60V 3A 0.120R，包括3 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于1通道的通道数，该通道提供SOT-223-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及120 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作NTF3055L108系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.008826盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
