9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVF5P03T3G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVF5P03T3G参考价格为0.92000美元。onsemi NVF5P03T3G封装/规格：MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT-223。您可以下载NVF5P03T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVF3055L108T1G是MOSFET N-CH 60V 3A SOT223，包括NTF3055L108系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.3W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为440pF@25V，FET的特点是逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为120 mOhm@1.5A，5V，Vgs的最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@5V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为15V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds漏极上源极电阻为120m欧姆，晶体管极性为N沟道。
NVF3055-100T1G是MOSFET NFET 60V 3A 0.100R，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作NTF3055-100系列。此外，上升时间为14 ns，器件提供88 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有10.6 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为2.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为3A，下降时间为13ns，配置为单一。
NVF3055L108T3G是MOSFET NFET 60V 3A 0.120R，包括3 A Id连续漏极电流，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作。数据表说明中显示了用于1通道的通道数，该通道提供SOT-223-3等封装外壳功能，封装设计为在卷筒中工作，以及120 mOhms Rds漏极源极电阻，该设备也可以用作NTF3055L108系列。此外，该技术是Si，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有1个晶体管型N沟道，单位重量为0.008826盎司，Vds漏极-源极击穿电压为60 V。
