9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVF3055-100T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NVF3055-100T1G参考价格为13.652美元。onsemi NVF3055-100T1G封装/规格：MOSFET N-CH 60V 3A SOT223。您可以下载NVF3055-100T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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NVF2955T1G是MOSFET PFET SOT223 60V 2.6A 140M，包括NTF2955系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008826盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-223-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有2.3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为7.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为-2.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs栅极-源极阈值电压为-4V，Rds导通漏极-漏极电阻为154mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为65ns，典型导通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为14.3nC，并且正向跨导Min为1.77S。
NVF2201NT1G是MOSFET N-CH 20V 0.3A SC70，包括Si技术，它们设计用于MMBF2201N系列，包装如数据表注释所示，用于卷筒。
NVF2955，带有ON制造的电路图。NVF2955在SOT223封装中提供，是IC芯片的一部分。
