| NVF3055L108T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.13594 |
| NVF5P03T3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.56W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.66347 |
| NVF6P02T3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 8.3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.31533 |
| NVF2955T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.9812 |
| NVF3055L108T3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.50339 |
| NVF3055-100T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥98.88007 |
| NVF2201NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.507 |
| NVF2955PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥69.01035 |
| NVF04M | 九芯电子 (NINE CIHP) | 暂无 | ¥4.3404 |