9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NVF2201NT1G，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。NVF2201NT1G参考价格为0.07000美元。onsemi NVF2201NT1G封装/规格：MOSFET N-CH 20V 300MA SC70-3。您可以下载NVF2201NT1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NVDD5894NLT4G，带有引脚细节，包括NVDD5894 NL系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.011640盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-5、DPak（4引线+标签）、to-252AD以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件采用D-Pak 5引线供应商器件封装，该器件具有2个N沟道（双）FET型公共漏极，最大功率为3.8W，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为2103pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为14A，Rds最大Id Vgs为10mOhm@50A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为41nC@10V，Id连续漏极电流为64A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds漏极源极电阻为10mOhms，晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的NVE4153NT1G，包括450 mV Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在6 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于20 V，提供单位重量功能，如0.001058 oz，典型开启延迟时间设计为3.7 ns，以及25 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为4.4 ns，漏极-源极电阻Rds为127 mOhms，Qg栅极电荷为1.82 nC，Pd功耗为300 mW，封装为卷轴式，封装盒为SC-89-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为915 mA，正向跨导最小值为1.4 S，下降时间为7.6 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
NVDCK001KIT带有电路图，包括散装包装，它们设计用于NVD系列。
