特色
- 低RDS设计（开启）
- 在雪崩和换向模式下承受高能量
- AEC−Q101合格
- 符合RoHS
应用
- 电源
- PWM电机控制
- 转换器
- 电源管理
（图片：引出线）
NVF2955T1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 8.98119 | 8.98119 |
| 10+ | 8.01789 | 80.17890 |
| 100+ | 6.25062 | 625.06230 |
| 500+ | 5.16346 | 2581.73150 |
| 1000+ | 4.32343 | 4323.43200 |
- 库存: 0
- 单价: ¥8.98120
-
数量:
- +
- 总计: ¥8.98
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 60 V
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 P-通道
- 最大功耗 1W（Ta）
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A（Ta）
- 供应商设备包装 SOT-223 (TO-261)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14.3 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 492 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 170毫欧姆@750毫安，10V
- 种类 -
- 材质 -
- 色彩/颜色 -
NVF2955T1G 产品详情
汽车功率MOSFET是低功率应用的理想选择。这是一个SOT-223封装的-60 V P沟道功率MOSFET。它是一个非常坚固的器件，具有很大的安全操作区域。。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。。
NVF2955T1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVF3055L108T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.13594 |
 | NVF5P03T3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 最大功耗: 1.56W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.66347 |
 | NVF6P02T3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A（Ta） 最大功耗: 8.3W (Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.31533 |
| NVF2955T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.9812 |
 | NVF3055L108T3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥3.50339 |
 | NVF3055-100T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.3W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥98.88007 |
 | NVF2201NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 150mW（Ta） 供应商设备包装: SC-70-3（SOT323） 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.507 |
 | NVF2955PT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥69.01035 |
 | NVF04M | 九芯电子 (NINE CIHP) | 暂无 | ¥4.3404 |
NVF2955T1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVF2955T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVF2955T1G价格参考￥8.981196，你可以下载 NVF2955T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVF2955T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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