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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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FDMS86103L
FDMS86103L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、104W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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FDD8647L
FDD8647L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、42A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、43W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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FDD8870
FDD8870
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、160A(Tc) 最大功耗: 160W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.99520

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FDMS86163P
FDMS86163P
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Ta), 50A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、104W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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FDT86256
FDT86256
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta),3A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、10W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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BS170-D27Z
BS170-D27Z
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 830mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥3.18688

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FDMS86300
FDMS86300
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、80A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、104W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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FDD850N10L
FDD850N10L
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15.7A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

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FDC637AN
FDC637AN
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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FQP12P10
FQP12P10
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

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NVTFS014P04M8LTAG
NVTFS014P04M8LTAG
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.3A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 3.2W(Ta)、61W(Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

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FQB5N60CTM-WS
FQB5N60CTM-WS
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 100W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263)

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FDB14N30TM
FDB14N30TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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144

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FDMS7650
FDMS7650
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 36A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、104W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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FDB035N10A
FDB035N10A
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 333W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

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FDS3572
FDS3572
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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FQPF5N50CYDTU
FQPF5N50CYDTU
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 (Y-Forming) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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NTMFS5H419NLT1G
NTMFS5H419NLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Ta)、155A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、89W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

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NTMFS005N10MCLT1G
NTMFS005N10MCLT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、105A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

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FQD5N60CTM
FQD5N60CTM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、49W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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