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品牌介绍

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/航空航天和电源应用中的独特设计挑战。onsemi在北美、欧洲和亚太地区的关键市场运营着一个反应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及一个由制造设施、销售办事处和设计中心组成的网络。

英文全称: onsemi

中文全称: 安盛美

英文简称: onsemi

品牌地址: http://www.onsemi.com/

久芯自营
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NTMFS4C06NBT1G
NTMFS4C06NBT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、69A(Tc) 最大功耗: 2.55W(Ta),30.5W(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.79432

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FQD3P50TM-AM002BLT
FQD3P50TM-AM002BLT
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.06763

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合计: ¥10.06763

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NTMFS6D1N08HT1G
NTMFS6D1N08HT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta)、89A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.09564

3

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NCV8440ASTT1G
NCV8440ASTT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 59 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 1.69W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.83634

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合计: ¥8.83634

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NTTFS5D9N08HTWG
NTTFS5D9N08HTWG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、84A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.44138

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NVTFS5C466NLTAG
NVTFS5C466NLTAG
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51A (Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: 8-WDFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.93918

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NVMFS5C442NLAFT1G
NVMFS5C442NLAFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Ta)、130A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.60505

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FCB110N65F
FCB110N65F
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 357W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥42.29854

47

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合计: ¥42.29854

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FDMC86340ET80
FDMC86340ET80
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、68A(Tc) 最大功耗: 2.8W(Ta)、65W(Tc) 供应商设备包装: Power33 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥17.09324

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NTDS015N15MCT4G
NTDS015N15MCT4G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.58624

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FDD6N20TM
FDD6N20TM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.01161

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合计: ¥6.01161

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NVF2955T1G
NVF2955T1G
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.98120

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FQD6N40CTM
FQD6N40CTM
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、48W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.98120

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NTMFS4C805NAT3G
NTMFS4C805NAT3G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.9A(Ta)、78A(Tc) 最大功耗: 770mW (Ta), 33W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.93918

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NVMFS5C628NLWFAFT1G
NVMFS5C628NLWFAFT1G
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Ta)、150A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 110W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.38536

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FDMS7678
FDMS7678
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.5A(Ta)、26A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、41W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.15647

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FDT86246
FDT86246
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 2.2W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.05363

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NTTFS022N15MC
NTTFS022N15MC
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Ta), 37.2A (Tc) 最大功耗: 1.2W(Ta),71.4W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥16.73110

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NTNS3A67PZT5G
NTNS3A67PZT5G
MOSFET P-CH 20V SOT883

¥0.50700

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合计: ¥1,811.01472

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FDS8842NZ
FDS8842NZ
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14.9A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.05363

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