品牌介绍
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者，瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案，帮助塑造无限的未来。
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT | ¥9.85034 | 6000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL IGBT 400V, 150A | ¥10.64706 | 167300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64791 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL IGBT FOR STROBE FLASH | ¥10.64706 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64791 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | N-CHANNEL IGBT 400V, 150A | ¥10.64706 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64791 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 297.6 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥39.03923 | 8 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.03923 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥41.79153 | 18 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.79153 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 297.6 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥41.79153 | 1 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.79153 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥44.54384 | 11 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.54384 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 40 A 最大功率: 178.5 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥30.38582 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.38582 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | RJH1DF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥37.43703 | 400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.34768 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | RJH1BF7 - INSULATED GATE BIPOLAR | ¥41.65500 | 5847 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,166.06021 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 集电极击穿电压: 500 V 最大功率: 45瓦 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥71.27014 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥71.27014 | 添加到BOM 立即询价 |