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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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RJH60D6DPK-00#T0
RJH60D6DPK-00#T0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 260 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥41.92191

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.92191

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RJH60D7DPK-00#T0
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IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥29.33375

9000

5-7 工作日

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合计: ¥29.33375

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RJH60F4DPQ-A0#T0
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IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 235.8 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥60.78371

9000

5-7 工作日

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合计: ¥60.78371

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RJH60F5DPQ-A0#T0
RJH60F5DPQ-A0#T0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 260.4 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥30.41066

9000

5-7 工作日

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合计: ¥30.41066

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RJP4009ANS-01#Q5
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集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 1.8瓦 供应商设备包装: 8-VSON (3x4.4) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.65243

9000

5-7 工作日

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合计: ¥29.65243

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RJH60F7DPQ-A0#T0
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IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 328.9 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥1,666.76512

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1,666.76512

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RJH60A01RDPD-A0#J2
RJH60A01RDPD-A0#J2
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 29.4 W 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥151.78221

9000

5-7 工作日

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合计: ¥151.78221

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RJH60A81RDPD-A0#J2
RJH60A81RDPD-A0#J2
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 10A 最大功率: 29.4 W 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥14.62846

9000

5-7 工作日

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合计: ¥14.62846

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RJH60A83RDPD-A0#J2
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IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 51 W 供应商设备包装: TO-252 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥20.88881

9000

5-7 工作日

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合计: ¥20.88881

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RJH65D27BDPQ-A0#T0
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IGBT 650V

¥284.00860

9000

5-7 工作日

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合计: ¥284.00860

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RJP4009ANS-01#Q6
RJP4009ANS-01#Q6
集电极击穿电压: 400伏 最大功率: 1.8瓦 供应商设备包装: 8-VSON (3x4.4) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,523.38146

9000

5-7 工作日

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合计: ¥1,523.38146

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RJP4301APP-M0#T2
RJP4301APP-M0#T2
集电极击穿电压: 430伏 最大功率: 30瓦 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.76390

9000

5-7 工作日

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合计: ¥37.76390

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RJH65T14DPQ-A0#T0
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IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥11.28715

3413

2-3 工作日

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RJH65T46DPQ-A0#T0
RJH65T46DPQ-A0#T0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 340.9 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥32.15848

0

5-7 工作日

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合计: ¥32.15848

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RJH65T04BDPM-A0#T2
RJH65T04BDPM-A0#T2
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 65 W 供应商设备包装: TO-3PFP 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥37.66308

0

5-7 工作日

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合计: ¥37.66308

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RJH60A83RDPE-00#J3
RJH60A83RDPE-00#J3
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 52 W 供应商设备包装: LDPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥15.49981

985

5-7 工作日

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合计: ¥15.49981

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RJH60A83RDPN-E0#T2
RJH60A83RDPN-E0#T2
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 供应商设备包装: TO-220AB

¥16.00681

79

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合计: ¥16.00681

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RBN40H65T1FPQ-A0#CB0
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IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 185瓦 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥39.69109

0

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合计: ¥39.69109

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RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
RBN50H65T1FPQ-A0#CB0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥42.29854

0

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合计: ¥42.29854

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RJH60M1DPP-M0#T2
RJH60M1DPP-M0#T2
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 30瓦 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥18.10725

67

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合计: ¥18.10725

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