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品牌介绍

Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器、模拟、电源和SoC产品及集成平台的全球领导者,瑞萨为汽车、工业、家用电子、办公自动化和信息通信技术应用领域提供专业知识、质量和全面解决方案,帮助塑造无限的未来。

英文全称: Renesas Electronics America Inc

中文全称: 瑞萨电子

英文简称: Renesas

品牌地址: https://www.renesas.com/us/en

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品牌型号
描述
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RJH60V1BDPP-M0#T2
RJH60V1BDPP-M0#T2
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 30瓦 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥45.14123

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥45.14123

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RJH60D5BDPQ-E0#T2
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IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 75 A 最大功率: 200瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥33.49117

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.49117

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RJH60D7DPQ-E0#T2
RJH60D7DPQ-E0#T2
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 300瓦 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥26.05995

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.05995

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RJH60V2BDPE-00#J3
RJH60V2BDPE-00#J3
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 63 W 供应商设备包装: LDPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥51.77225

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥51.77225

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RJH60V3BDPE-00#J3
RJH60V3BDPE-00#J3
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 113瓦 供应商设备包装: LDPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥29.56842

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.56842

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RJH60A85RDPE-00#J3
RJH60A85RDPE-00#J3
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 30 A 最大功率: 113瓦 供应商设备包装: LDPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥56.69742

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.69742

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RJH60V1BDPE-00#J3
RJH60V1BDPE-00#J3
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 52 W 供应商设备包装: LDPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥112.60440

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥112.60440

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RJH60M2DPP-M0#T2
RJH60M2DPP-M0#T2
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 33.8 W 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥26.06155

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.06155

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RJH60M3DPP-M0#T2
RJH60M3DPP-M0#T2
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 35A 最大功率: 39.7 W 供应商设备包装: TO-220FL 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥171.17870

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥171.17870

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RJH60F0DPQ-A0#T0
RJH60F0DPQ-A0#T0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 201.6 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥27.42162

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥27.42162

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RJH60F5BDPQ-A0#T0
RJH60F5BDPQ-A0#T0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 260.4 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥40.42615

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.42615

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RJH60D6DPM-00#T1
RJH60D6DPM-00#T1
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 50 W 供应商设备包装: TO-3PFM 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥24.64382

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥24.64382

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RJH60F5DPK-00#T0
RJH60F5DPK-00#T0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 260.4 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥186.08459

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥186.08459

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RJH60F6DPK-00#T0
RJH60F6DPK-00#T0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 85 A 最大功率: 297.6 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥30.87663

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.87663

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RJH60F7ADPK-00#T0
RJH60F7ADPK-00#T0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 328.9 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥20.00734

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.00734

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RJH60F7BDPQ-A0#T0
RJH60F7BDPQ-A0#T0
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 328.9 W 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 150摄氏度(TJ)

¥19.80209

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥19.80209

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RJH65D27BDPQ-A0#T2
RJH65D27BDPQ-A0#T2
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 375瓦 供应商设备包装: TO-247A 工作温度: 175摄氏度(TJ)

¥55.17770

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥55.17770

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RJP6065DPM-00#T1
RJP6065DPM-00#T1
IGBT

¥7.24290

13904

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,180.11290

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RJP4002ANS-00#Q1
RJP4002ANS-00#Q1
IGBT

¥8.61905

32800

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.00085

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RJP30H1DPD-A0#Q2
RJP30H1DPD-A0#Q2
IGBT

¥9.85034

9337

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,176.92602

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