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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SISA26DN-T1-GE3
SISA26DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 39W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.30132

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SI7178DP-T1-GE3
SI7178DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.74271

0

5-7 工作日

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合计: ¥22.74271

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SIR576DP-T1-RE3
SIR576DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.1A(Ta),42.4A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 71.4W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

2

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合计: ¥10.64706

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SIHH14N65EF-T1-GE3
SIHH14N65EF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.06724

50

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合计: ¥41.06724

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SI4442DY-T1-E3
SI4442DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.82914

0

5-7 工作日

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合计: ¥23.82914

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SIHH21N60EF-T1-GE3
SIHH21N60EF-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 174W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.21210

30

5-7 工作日

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合计: ¥41.21210

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IRF720SPBF
IRF720SPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.61665

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.61665

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SIHP30N60AEL-GE3
SIHP30N60AEL-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 28A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥41.28453

37

5-7 工作日

- +

合计: ¥41.28453

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SQD40052EL_GE3
SQD40052EL_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.96719

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.96719

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IRFI830GPBF
IRFI830GPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.61665

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5-7 工作日

- +

合计: ¥13.61665

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IRF630PBF-BE3
IRF630PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.58864

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合计: ¥11.58864

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SIHD12N50E-GE3
SIHD12N50E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 550 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TA)

¥13.61665

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.61665

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SQ4050EY-T1_BE3
SQ4050EY-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 6W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.96719

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.96719

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SI7192DP-T1-GE3
SI7192DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.04643

0

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合计: ¥24.04643

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SI7101DN-T1-GE3
SI7101DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.48820

0

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合计: ¥9.48820

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SIRA10BDP-T1-GE3
SIRA10BDP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta), 60A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.37375

0

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IRFR210PBF-BE3
IRFR210PBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.90877

0

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SIHH26N60E-T1-GE3
SIHH26N60E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 202W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥42.58825

34

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合计: ¥42.58825

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SQJ422EP-T1_BE3
SQJ422EP-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.03722

0

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合计: ¥13.03722

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SQJ174EP-T1_GE3
SQJ174EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 293A(Tc) 最大功耗: 500W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.26851

0

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