久芯网

品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
SQV120N10-3M8_GE3
SQV120N10-3M8_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: 28-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥14.83911

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,419.55450

添加到BOM
立即询价
IRF720STRRPBF
IRF720STRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、50W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.76992

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7,015.93680

添加到BOM
立即询价
IRFBC40ASTRRPBF
IRFBC40ASTRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.14768

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥16,918.14000

添加到BOM
立即询价
SIRA54DP-T1-GE3
SIRA54DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 36.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.19848

11

5-7 工作日

- +

合计: ¥9.19848

添加到BOM
立即询价
SIHS20N50C-E3
SIHS20N50C-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 250mW(Tc) 供应商设备包装: 超级247(至274AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥39.14679

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥18,790.45824

添加到BOM
立即询价
SI7114DN-T1-GE3
SI7114DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.74857

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,245.71600

添加到BOM
立即询价
IRFR9220TRRPBF
IRFR9220TRRPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.84358

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26,530.74300

添加到BOM
立即询价
SI7104DN-T1-GE3
SI7104DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.84358

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26,530.74300

添加到BOM
立即询价
SI8401DB-T1-E3
SI8401DB-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 最大功耗: 1.47W(Ta) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.84358

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26,530.74300

添加到BOM
立即询价
SIRA90DP-T1-GE3
SIRA90DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.49350

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26,960.97000

添加到BOM
立即询价
SI7450DP-T1-RE3
SI7450DP-T1-RE3
N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET

¥8.86625

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥26,598.75300

添加到BOM
立即询价
SIHH186N60EF-T1GE3
SIHH186N60EF-T1GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥34.69349

17

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.69349

添加到BOM
立即询价
SIHG47N65E-GE3
SIHG47N65E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥39.94952

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥19,974.75950

添加到BOM
立即询价
IRF9Z14LPBF
IRF9Z14LPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.7A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.80000

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,799.99700

添加到BOM
立即询价
SIS822DNT-T1-GE3
SIS822DNT-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 15.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥0.87806

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5,268.34200

添加到BOM
立即询价
IRFBC30ALPBF
IRFBC30ALPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.81195

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6,811.94700

添加到BOM
立即询价
SIHP186N60EF-GE3
SIHP186N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.12969

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15,129.69400

添加到BOM
立即询价
SI4634DY-T1-GE3
SI4634DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 24.5A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、5.7W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥13.39937

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.39937

添加到BOM
立即询价
SIHD7N60ET4-GE3
SIHD7N60ET4-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 78W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.81195

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥20,435.84100

添加到BOM
立即询价
SIHG22N60EL-GE3
SIHG22N60EL-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 227W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.82213

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10,911.06650

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部