久芯网

品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片
品牌型号
描述
价格
库存
交期
数量
操作
SI4923DY-T1-GE3
SI4923DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥468.45629

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥468.45629

添加到BOM
立即询价
SI4933DY-T1-GE3
SI4933DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.71949

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.71949

添加到BOM
立即询价
SI4940DY-T1-E3
SI4940DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.75134

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.75134

添加到BOM
立即询价
SI4940DY-T1-GE3
SI4940DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,302.99771

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,302.99771

添加到BOM
立即询价
SI4942DY-T1-GE3
SI4942DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.72189

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.72189

添加到BOM
立即询价
SI4943BDY-T1-GE3
SI4943BDY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.74654

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.74654

添加到BOM
立即询价
SI4944DY-T1-GE3
SI4944DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.27331

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥4.27331

添加到BOM
立即询价
SI4952DY-T1-E3
SI4952DY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.28684

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.28684

添加到BOM
立即询价
SI4965DY-T1-E3
SI4965DY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.70453

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.70453

添加到BOM
立即询价
SI4965DY-T1-GE3
SI4965DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 8V 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥1,548.61894

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,548.61894

添加到BOM
立即询价
SI4966DY-T1-GE3
SI4966DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.40272

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.40272

添加到BOM
立即询价
SI4967DY-T1-E3
SI4967DY-T1-E3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.09804

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.09804

添加到BOM
立即询价
SI4967DY-T1-GE3
SI4967DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 12伏 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.64706

添加到BOM
立即询价
SI4972DY-T1-GE3
SI4972DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.8A、7.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥14.94935

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.94935

添加到BOM
立即询价
SI4973DY-T1-GE3
SI4973DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.77360

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥18.77360

添加到BOM
立即询价
SI5504DC-T1-GE3
SI5504DC-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A、2.1A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.13958

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.13958

添加到BOM
立即询价
SI5509DC-T1-GE3
SI5509DC-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.1A, 4.8A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.09900

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.09900

添加到BOM
立即询价
SI5513DC-T1-GE3
SI5513DC-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A、2.1A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.35639

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.35639

添加到BOM
立即询价
SI5515DC-T1-GE3
SI5515DC-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A, 3A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.79432

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.79432

添加到BOM
立即询价
SI5903DC-T1-GE3
SI5903DC-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.1A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.84699

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.84699

添加到BOM
立即询价
会员中心 微信客服
客服
回到顶部