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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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操作
VQ2001P-2
VQ2001P-2
场效应管类型: 4 P-Channel 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 供应商设备包装: 14-DIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.09852

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.09852

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SI4288DY-T1-GE3
SI4288DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.50221

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VQ3001P-E3
VQ3001P-E3
场效应管类型: 2个N和2个P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 850毫安, 600毫安 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.35831

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥8.35831

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SQJ992EP-T1_GE3
SQJ992EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.57463

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.57463

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SIRB40DP-T1-GE3
SIRB40DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.64706

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SI4932DY-T1-GE3
SI4932DY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.64706

4

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.64706

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SQJ974EP-T1_GE3
SQJ974EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.71949

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.71949

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SQJ912BEP-T1_GE3
SQJ912BEP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.71949

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.71949

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SIZ914DT-T1-GE3
SIZ914DT-T1-GE3
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A、40A 供应商设备包装: 8-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.25115

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥20.25115

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SQJ940EP-T1_GE3
SQJ940EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、18A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.00921

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥11.00921

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SIA936EDJ-T1-GE3
SIA936EDJ-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.95270

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.95270

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SIHA11N80E-GE3
SIHA11N80E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥26.87116

474

5-7 工作日

- +

合计: ¥26.87116

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IRFIBC40GPBF
IRFIBC40GPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.55103

415

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.55103

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IRFPE40PBF
IRFPE40PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.02762

161

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.02762

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IRFB18N50KPBF
IRFB18N50KPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 220W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.31494

670

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.31494

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IRFP350LCPBF
IRFP350LCPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.25172

334

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.25172

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SIHB33N60EF-GE3
SIHB33N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥49.32415

674

5-7 工作日

- +

合计: ¥49.32415

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IRFPF30PBF
IRFPF30PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.15608

212

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.15608

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SIHP100N60E-GE3
SIHP100N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.80794

979

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.80794

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SIHB100N60E-GE3
SIHB100N60E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥38.45980

965

5-7 工作日

- +

合计: ¥38.45980

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