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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SQ2310ES-T1_BE3
SQ2310ES-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.80833

4629

5-7 工作日

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合计: ¥6.80833

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SI3460BDV-T1-E3
SI3460BDV-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.5W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

3676

5-7 工作日

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合计: ¥6.88076

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IRF740LCPBF
IRF740LCPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥22.95999

652

5-7 工作日

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合计: ¥22.95999

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IRFI540GPBF
IRFI540GPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥24.19129

2778

5-7 工作日

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合计: ¥24.19129

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SI3552DV-T1-GE3
SI3552DV-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.30132

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SI5515CDC-T1-E3
SI5515CDC-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.30132

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥6.30132

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SI4599DY-T1-GE3
SI4599DY-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A, 5.8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.88076

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SI3590DV-T1-GE3
SI3590DV-T1-GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A、1.7A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥6.88076

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.88076

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SI4946CDY-T1-GE3
SI4946CDY-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta), 6.1A (Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.24290

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.24290

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SQ4532AEY-T1_GE3
SQ4532AEY-T1_GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.37375

0

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合计: ¥6.37375

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SI4936BDY-T1-E3
SI4936BDY-T1-E3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.24290

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.24290

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SI3900DV-T1-GE3
SI3900DV-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.38776

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.38776

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SI4925DDY-T1-GE3
SI4925DDY-T1-GE3
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.46019

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.46019

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SQ4946CEY-T1_GE3
SQ4946CEY-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.60505

0

5-7 工作日

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合计: ¥7.60505

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SI5504BDC-T1-E3
SI5504BDC-T1-E3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A, 3.7A 供应商设备包装: 1206-8芯片FET 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.60505

0

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- +

合计: ¥7.60505

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SQ9945BEY-T1_GE3
SQ9945BEY-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.4A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.40176

0

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合计: ¥8.40176

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SI7972DP-T1-GE3
SI7972DP-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.40176

0

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合计: ¥8.40176

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SQJ958EP-T1_GE3
SQJ958EP-T1_GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.40176

0

5-7 工作日

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合计: ¥8.40176

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SIZ254DT-T1-GE3
SIZ254DT-T1-GE3
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 70V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.7A(Ta),32.5A(Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.12605

0

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合计: ¥9.12605

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SQJ570EP-T1_GE3
SQJ570EP-T1_GE3
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc),9.5A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

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合计: ¥9.19848

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