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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

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描述
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SQJA37EP-T1_GE3
SQJA37EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥6.80833

0

5-7 工作日

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合计: ¥6.80833

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SIHF6N40D-E3
SIHF6N40D-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 30W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.57463

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合计: ¥10.57463

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SIJ150DP-T1-GE3
SIJ150DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30.9A (Ta), 110A (Tc) 最大功耗: 5.2W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.56063

30

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合计: ¥9.56063

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SQD50P03-07_GE3
SQD50P03-07_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.93198

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合计: ¥20.93198

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SQJQ144AE-T1_GE3
SQJQ144AE-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 575A (Tc) 最大功耗: 600W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK8 x 8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.00441

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合计: ¥21.00441

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SI7456CDP-T1-GE3
SI7456CDP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27.5A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 35.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.67508

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.67508

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SI7434DP-T1-GE3
SI7434DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.82914

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合计: ¥23.82914

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IRF730STRLPBF
IRF730STRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、74W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.10725

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合计: ¥18.10725

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SIHD2N80E-GE3
SIHD2N80E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.79192

36

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合计: ¥10.79192

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SIHP25N40D-GE3
SIHP25N40D-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.24971

0

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合计: ¥23.24971

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SI7174DP-T1-GE3
SI7174DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥24.04643

0

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合计: ¥24.04643

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SQJ407EP-T1_GE3
SQJ407EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.22650

0

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合计: ¥11.22650

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SUP80090E-GE3
SUP80090E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 128A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.24971

0

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合计: ¥23.24971

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IRF510STRLPBF
IRF510STRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.29892

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合计: ¥11.29892

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SIS780DN-T1-GE3
SIS780DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 27.7W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.21489

1

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SUM65N20-30-E3
SUM65N20-30-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 3.75W (Ta), 375W (Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥37.15608

0

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IRFB9N60APBF
IRFB9N60APBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.32214

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SI8851EDB-T2-E1
SI8851EDB-T2-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Ta) 最大功耗: 660mW (Ta) 供应商设备包装: Power Micro Foot(2.4x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

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SUM40010EL-GE3
SUM40010EL-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 375W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥21.94599

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SIHU6N80AE-GE3
SIHU6N80AE-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: TO-251AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.93678

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