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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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IRF9530STRLPBF
IRF9530STRLPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 88W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.99040

0

5-7 工作日

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合计: ¥19.99040

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SUP70042E-GE3
SUP70042E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥23.24971

488

5-7 工作日

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合计: ¥23.24971

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IRFS9N60ATRLPBF
IRFS9N60ATRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.45059

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5-7 工作日

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合计: ¥27.45059

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SIHA21N80AEF-GE3
SIHA21N80AEF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.32214

975

5-7 工作日

- +

合计: ¥23.32214

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IRFS9N60ATRRPBF
IRFS9N60ATRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.2A (Tc) 最大功耗: 170W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥27.45059

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5-7 工作日

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合计: ¥27.45059

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IRFR9210PBF
IRFR9210PBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.9A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.21249

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5-7 工作日

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合计: ¥10.21249

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SIDR140DP-T1-GE3
SIDR140DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 79A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8DC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.68668

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5-7 工作日

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合计: ¥18.68668

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IRFR9310TRLPBF
IRFR9310TRLPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.8A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.95079

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SIR104DP-T1-RE3
SIR104DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.3A(Ta)、79A(Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.90397

0

5-7 工作日

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合计: ¥18.90397

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SI4423DY-T1-E3
SI4423DY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.20769

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合计: ¥20.20769

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SIDR390DP-T1-GE3
SIDR390DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 69.9A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8DC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.90397

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合计: ¥18.90397

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SUD50P04-09L-E3
SUD50P04-09L-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.20769

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合计: ¥20.20769

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SUD50P06-15-BE3
SUD50P06-15-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、113W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.20769

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5-7 工作日

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合计: ¥20.20769

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IRF634STRRPBF
IRF634STRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.1A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、74W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.44138

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5-7 工作日

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合计: ¥16.44138

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SQD100N04-3M6L_GE3
SQD100N04-3M6L_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.24050

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SIDR104ADP-T1-RE3
SIDR104ADP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.8A(Ta),81A(Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8DC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.41097

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合计: ¥19.41097

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SQJA94EP-T1_GE3
SQJA94EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

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合计: ¥9.19848

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SQJA06EP-T1_GE3
SQJA06EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 55W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥9.19848

0

5-7 工作日

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合计: ¥9.19848

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IRFD123PBF
IRFD123PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Ta) 最大功耗: 1.3W(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.50221

0

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合计: ¥10.50221

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IRFD210PBF
IRFD210PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: 4-HVMDIP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

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合计: ¥10.50221

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