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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
IRF840ASTRRPBF
IRF840ASTRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥23.61185

0

5-7 工作日

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合计: ¥23.61185

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SUM90330E-GE3
SUM90330E-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35.1A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥13.03722

0

5-7 工作日

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合计: ¥13.03722

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SIHA21N80AE-GE3
SIHA21N80AE-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.22170

1010

5-7 工作日

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合计: ¥21.22170

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SQD90P04-9M4L_GE3
SQD90P04-9M4L_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.93198

0

5-7 工作日

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合计: ¥20.93198

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IRF710STRLPBF
IRF710STRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、36W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.67508

15

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.67508

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IRF830STRLPBF
IRF830STRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.10725

0

5-7 工作日

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合计: ¥18.10725

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IRF630STRRPBF
IRF630STRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 74W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.89236

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.89236

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IRFR120PBF
IRFR120PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥9.34334

0

5-7 工作日

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合计: ¥9.34334

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SI4630DY-T1-E3
SI4630DY-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥15.13766

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥15.13766

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SQM40020E_GE3
SQM40020E_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥18.54182

0

5-7 工作日

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合计: ¥18.54182

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IRFB9N65APBF-BE3
IRFB9N65APBF-BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.5A (Tc) 最大功耗: 167W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.58384

968

5-7 工作日

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合计: ¥21.58384

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SIHU5N50D-GE3
SIHU5N50D-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: TO-251AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.89476

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥7.89476

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SIHJ240N60E-T1-GE3
SIHJ240N60E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.72870

0

5-7 工作日

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合计: ¥21.72870

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SIHA186N60EF-GE3
SIHA186N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 156W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.65627

2000

5-7 工作日

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合计: ¥21.65627

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SIHP21N80AEF-GE3
SIHP21N80AEF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.3A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.72870

1040

5-7 工作日

- +

合计: ¥21.72870

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IRF9510SPBF
IRF9510SPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 43W (Tc) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥15.49981

0

5-7 工作日

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合计: ¥15.49981

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SIDR680DP-T1-GE3
SIDR680DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32.8A (Ta), 100A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8DC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥21.87356

0

5-7 工作日

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合计: ¥21.87356

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SIHJ6N65E-T1-GE3
SIHJ6N65E-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥16.15167

0

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合计: ¥16.15167

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IRFR010PBF
IRFR010PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.2A (Tc) 最大功耗: 25W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.15407

0

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合计: ¥11.15407

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SI4421DY-T1-GE3
SI4421DY-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.83154

0

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合计: ¥18.83154

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