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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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SQ2309ES-T1_BE3
SQ2309ES-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Tc) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.07003

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.07003

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SQJ409EP-T1_GE3
SQJ409EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.29892

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5-7 工作日

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合计: ¥11.29892

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SQJ431AEP-T1_GE3
SQJ431AEP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.45779

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5-7 工作日

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合计: ¥12.45779

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SQ2348ES-T1_BE3
SQ2348ES-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.07003

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.07003

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SIR500DP-T1-RE3
SIR500DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.45779

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.45779

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SQ3456BEV-T1_GE3
SQ3456BEV-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Tc) 最大功耗: 4W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

32

5-7 工作日

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合计: ¥5.21489

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SIRA52ADP-T1-RE3
SIRA52ADP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 41.6A (Ta), 131A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.86435

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.86435

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SQ3425EV-T1_GE3
SQ3425EV-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.4A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

2

5-7 工作日

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合计: ¥5.21489

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SIR880DP-T1-GE3
SIR880DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.71469

0

5-7 工作日

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合计: ¥20.71469

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SQD23N06-31L_GE3
SQD23N06-31L_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.53022

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.53022

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SQ3427EV-T1_GE3
SQ3427EV-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥5.21489

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IRLZ14STRLPBF
IRLZ14STRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.31293

449

5-7 工作日

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合计: ¥12.31293

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SUD50P04-08-GE3
SUD50P04-08-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),73.5W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.37135

0

5-7 工作日

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合计: ¥11.37135

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SQ3457EV-T1_GE3
SQ3457EV-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥5.21489

0

5-7 工作日

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合计: ¥5.21489

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SQ4435EY-T1_BE3
SQ4435EY-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 6.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.93678

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥10.93678

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SQD50034EL_GE3
SQD50034EL_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Tc) 最大功耗: 107W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.60265

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.60265

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SIRA14DP-T1-GE3
SIRA14DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 58A (Tc) 最大功耗: 3.6W (Ta), 31.2W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.21489

7

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- +

合计: ¥5.21489

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SIR690DP-T1-GE3
SIR690DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34.4A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.60265

0

5-7 工作日

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合计: ¥12.60265

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SQD10950E_GE3
SQD10950E_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.5A(Tc) 最大功耗: 62W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.00921

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SISS73DN-T1-GE3
SISS73DN-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta), 16.2A (Tc) 最大功耗: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.44378

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