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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SQ4050EY-T1_GE3
SQ4050EY-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 6W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.96719

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合计: ¥7.96719

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SQP120N06-3M5L_GE3
SQP120N06-3M5L_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥30.63747

198

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合计: ¥30.63747

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IRFR1N60ATRPBF
IRFR1N60ATRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A(Tc) 最大功耗: 36W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.73350

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SQ4064EY-T1_GE3
SQ4064EY-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 6.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥7.96719

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合计: ¥7.96719

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SI7820DN-T1-E3
SI7820DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.73350

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SUD50N03-06AP-E3
SUD50N03-06AP-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 10W(Ta)、83W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.73350

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SIR167DP-T1-GE3
SIR167DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 65.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥7.96719

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SQ1431EH-T1_GE3
SQ1431EH-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.56303

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SI8487DB-T1-E1
SI8487DB-T1-E1
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A (Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta)、2.7W(Tc) 供应商设备包装: 4-Microfoot 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.21489

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SIR800ADP-T1-GE3
SIR800ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50.2A (Ta), 177A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.73350

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SI5459DU-T1-GE3
SI5459DU-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.63546

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SISS22DN-T1-GE3
SISS22DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Ta),90.6A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.73350

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IRFR9220TRPBF
IRFR9220TRPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.21249

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SIR696DP-T1-GE3
SIR696DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 125伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.28492

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SQ2351ES-T1_BE3
SQ2351ES-T1_BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A(Tc) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.56303

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SISS46DN-T1-GE3
SISS46DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta),45.3A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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IRFR9220TRPBF-BE3
IRFR9220TRPBF-BE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.21249

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SQJA86EP-T1_GE3
SQJA86EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥8.03962

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SQ2318AES-T1_BE3
SQ2318AES-T1_BE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 3W (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.56303

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SI7880ADP-T1-E3
SI7880ADP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

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