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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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品牌型号
描述
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IRFR9214TRLPBF
IRFR9214TRLPBF
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.73350

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5-7 工作日

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合计: ¥11.73350

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SI4126DY-T1-GE3
SI4126DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 39A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.83154

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合计: ¥18.83154

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SIDR668ADP-T1-RE3
SIDR668ADP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23.3A(Ta)、104A(Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 125W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8DC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.83154

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合计: ¥18.83154

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SIRC18DP-T1-GE3
SIRC18DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 54.3W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.28492

0

5-7 工作日

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合计: ¥10.28492

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IRF510STRRPBF
IRF510STRRPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.29892

197

5-7 工作日

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合计: ¥11.29892

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SI5448DU-T1-GE3
SI5448DU-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 31W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFet单 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

0

5-7 工作日

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合计: ¥4.70789

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SI7852DP-T1-E3
SI7852DP-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥18.97640

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5-7 工作日

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合计: ¥18.97640

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SI4431CDY-T1-E3
SI4431CDY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 4.2W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.18448

0

5-7 工作日

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合计: ¥8.18448

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SIR846DP-T1-GE3
SIR846DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.04883

0

5-7 工作日

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合计: ¥19.04883

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SIR124DP-T1-RE3
SIR124DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16.1A(Ta),56.8A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.18448

84

5-7 工作日

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合计: ¥8.18448

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IRFP250PBF
IRFP250PBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 190W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥29.98561

0

5-7 工作日

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合计: ¥29.98561

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SI4864DY-T1-GE3
SI4864DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥32.08605

1995

5-7 工作日

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合计: ¥32.08605

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SQD40081EL_GE3
SQD40081EL_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥10.35735

0

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合计: ¥10.35735

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SI5419DU-T1-GE3
SI5419DU-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKChipFET仅有一个的 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

0

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SIR882DP-T1-GE3
SIR882DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 5.4W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.04883

0

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合计: ¥19.04883

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SISH410DN-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Ta)、35A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.18448

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SIHG22N60EF-GE3
SIHG22N60EF-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 179W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥32.23091

488

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合计: ¥32.23091

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SI3443CDV-T1-E3
SI3443CDV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.97A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),3.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.70789

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合计: ¥4.70789

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SI4128DY-T1-GE3
SI4128DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.9A(Ta) 最大功耗: 2.4W(Ta),5W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

0

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合计: ¥4.78031

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SIR870DP-T1-GE3
SIR870DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.04883

0

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