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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SIR664DP-T1-GE3
SIR664DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8

¥8.69148

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合计: ¥8.69148

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SI7810DN-T1-E3
SI7810DN-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.44378

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SQD97N06-6M3L_GE3
SQD97N06-6M3L_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 97A(Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.60265

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合计: ¥12.60265

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SIJ186DP-T1-GE3
SIJ186DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta),79.4A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 57W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥8.69148

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合计: ¥8.69148

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IRFP460APBF
IRFP460APBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 280W(Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥37.80794

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合计: ¥37.80794

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SISS80DN-T1-GE3
SISS80DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 58.3A (Ta), 210A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 65W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.67508

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合计: ¥12.67508

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SI4166DY-T1-GE3
SI4166DY-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30.5A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 6.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.00921

98

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SIRA99DP-T1-GE3
SIRA99DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47.9A (Ta), 195A (Tc) 最大功耗: 6.35W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥20.78712

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SIR606BDP-T1-RE3
SIR606BDP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.9A(Ta)、38.7A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 62.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.00921

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合计: ¥11.00921

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SQJ459EP-T1_GE3
SQJ459EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.08164

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SIA433EDJ-T1-GE3
SIA433EDJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.35975

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合计: ¥5.35975

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SI7456DDP-T1-GE3
SI7456DDP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27.8A(Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 35.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.67508

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SI3473CDV-T1-E3
SI3473CDV-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.35975

2

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SI3440DV-T1-E3
SI3440DV-T1-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 1.14W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.58864

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SQJA20EP-T1_GE3
SQJA20EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 22.5A(Tc) 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.15407

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SQD50P08-25L_GE3
SQD50P08-25L_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥20.93198

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合计: ¥20.93198

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SIA441DJ-T1-GE3
SIA441DJ-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 19W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.21489

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SI8416DB-T2-E1
SI8416DB-T2-E1
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 2.77W(Ta),13W(Tc) 供应商设备包装: 6-Micro Foot (1.5x1) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.35975

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SISH108DN-T1-GE3
SISH108DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥5.35975

0

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SIS184DN-T1-GE3
SIS184DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.4A(Ta),65.3A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.15407

0

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