9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIA433EDJ-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIA433EDJ-T1-GE3参考价格为0.74000美元。Vishay Siliconix SIA433EDJ-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6。您可以下载SIA433EDJ-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIA432DJ-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIA432DJ-GE3的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，封装盒设计为在PowerPAKR SC-70-6以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有PowerPAKR SC-70-6单供应商器件封装，配置为单四漏双源，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为19.2W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为800pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为20 mOhm@6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为20nC@10V，Pd功耗为3.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为10纳秒，上升时间为11纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为10.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通-漏极电阻为20毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15纳秒，典型的开启延迟时间为15ns，信道模式为增强。
SIA431DJ-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6，包括-0.85 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-8 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，提供典型的开启延迟时间功能，如22 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SIA4xxDJ系列，该器件具有25 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为70 mOhms，Qg栅极电荷为60 nC，Pd功耗为19 W，部件别名为SIA431DJ-GE3，封装为卷轴，封装外壳为PowerPAK-SC-70-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-12A，正向跨导最小值为31S，下降时间为25ns，配置为单一。
SIA433EDJ，带有VISHAY制造的电路图。SIA433EDJ以QFN封装形式提供，是FET的一部分-单个。
