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品牌介绍

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型的电子设备和设备。Vishay很自豪能成为Digi Key的主要合作伙伴。

英文全称: Vishay Siliconix

中文全称: 黑森尔

英文简称: Vishay Siliconix

品牌地址: http://www.vishay.com/company/brands/siliconix/

久芯自营
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描述
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SIRA18DP-T1-GE3
SIRA18DP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 33A (Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta),14.7W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.78031

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5-7 工作日

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合计: ¥4.78031

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SISS54DN-T1-GE3
SISS54DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 51.1A (Ta), 185.6A (Tc) 最大功耗: 5W (Ta), 65.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥11.95079

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合计: ¥11.95079

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SUD25N15-52-E3
SUD25N15-52-E3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥19.04883

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合计: ¥19.04883

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SQA410EJ-T1_GE3
SQA410EJ-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A (Tc) 最大功耗: 13.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6单 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.85274

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合计: ¥4.85274

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SI7143DP-T1-GE3
SI7143DP-T1-GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

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合计: ¥10.50221

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SIA446DJ-T1-GE3
SIA446DJ-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.7A (Tc) 最大功耗: 3.5W (Ta), 19W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

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合计: ¥4.85274

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SQR70090ELR_GE3
SQR70090ELR_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 86A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.95079

87

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合计: ¥11.95079

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SQ4410EY-T1_GE3
SQ4410EY-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥11.58864

873

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合计: ¥11.58864

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SISHA14DN-T1-GE3
SISHA14DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19.7A(Ta)、20A(Tc) 最大功耗: 3.57W(Ta),26.5W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 sh 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

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合计: ¥4.85274

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SIR826ADP-T1-GE3
SIR826ADP-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.26611

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合计: ¥19.26611

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SQJ443EP-T1_GE3
SQJ443EP-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TA)

¥10.71949

0

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合计: ¥10.71949

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SI9407BDY-T1-E3
SI9407BDY-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Tc) 最大功耗: 5W (Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.50221

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5-7 工作日

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合计: ¥10.50221

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SIR681DP-T1-RE3
SIR681DP-T1-RE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.6A(Ta),71.9A(Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥19.55583

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合计: ¥19.55583

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IRFBC40ASTRLPBF
IRFBC40ASTRLPBF
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.2A (Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥33.75191

200

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SIR632DP-T1-RE3
SIR632DP-T1-RE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Tc) 最大功耗: 69.5W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥10.57463

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SQJ488EP-T1_GE3
SQJ488EP-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥12.02321

0

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SQA442EJ-T1_GE3
SQA442EJ-T1_GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Tc) 最大功耗: 13.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.78031

0

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合计: ¥4.78031

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SQA403EJ-T1_GE3
SQA403EJ-T1_GE3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 13.6W(Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSC-70-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)

¥4.78031

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合计: ¥4.78031

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SISS72DN-T1-GE3
SISS72DN-T1-GE3
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 25.5A (Tc) 最大功耗: 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥12.02321

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合计: ¥12.02321

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SI2307BDS-T1-E3
SI2307BDS-T1-E3
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A(Ta) 最大功耗: 750mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)

¥4.85274

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